服务2026年11月12日 15:26

消息称 SK 海力士 HBM4 良率已突破 70%，与三星、美光竞争下一代内存市场

IT之家 11 月 12 日消息，据 Chosun Biz 今日报道， SK 海力士的 HBM4 内存良率已超过 70% ，与三星和美光的竞争将更加激烈。 报道称，SK 海力士第六代高带宽内存（HBM4）的产能良率提升至 70% 以上。由于 HBM4 比以往产品更难制造，确保早期产量被视为决定大规模生产竞争力的关键变量。不过，SK 海力士官方尚未正式公布良率数据。 HBM4 是下一代高带宽内存，垂直堆叠多个 DRAM 芯片以提升数据处理速度和带宽。与标准 DRAM 不同，HBM 经历从单个芯片制造到堆叠、封装和最终测试的多个步骤。如果生产良率越低，需要的生产资源就越多，会提高制造成本。 报道提到，行业观察人士重视超 70% 这一数字，在相同计算基础下， 将良率从 60% 提高到 70%，在相同生产投入下获得的商品单位数量可以增加约 16.7% 。不过，实际生产中必须权衡产品性能、制造成本和客户需求。 在 10 月 28 日的第三季度财报电话会议上，SK 海力士表示，HBM4 在前端和后端流程的良率均为业内最佳之一。该公司表示，HBM4 良率超过了最初的计划，促使公司提高了内部目标。 IT之家注意到，三星电子和美光也在加大对 HBM4 的推广力度。今年 9 月有市场观点称三星电子的 HBM4 良率已提升至约 80%。对于在 HBM3E 市场占据优势的 SK 海力士来说，保持下一代产…

来源 ithome.com