国内首款12英寸多晶碳化硅衬底问世，通过台积电认证测试并向三星送样
来源标题：给 AI 芯片“退烧”：国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世，通过台积电认证测试、并给三星送样
IT之家 10 月 29 日消息，湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿， 宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，瞄准 AI 芯片与先进封装的散热瓶颈。 IT之家查询公开资料，12 英寸多晶碳化硅（SiC）衬底，是一种直径约 300 毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板。该基板主要作为先进封装和高温半导体工艺中的高导热支撑、散热基底，帮助 AI 芯片等高功率器件把热量快速导出。 该公司在新闻稿中指出当前半导体碳化硅赛道，市场目光大多聚焦单晶 SiC 衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。 高端多晶材料长期受制于人，成为制约国内产线扩产的关键痛点，大尺寸致密化、高纯度制备、热性能匹配是亟待攻克的核心技术瓶颈。 以上图源：泰坦未来科技官方公众号 据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，并攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。 在关键性能上，该衬底沉积速度达每小时 60 微米，明显高于国内外同行 10 至 20 微米的水平；最低电阻率可小于 1 毫欧 · 厘米，优于国外同行约 10 毫欧 · 厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，有助于提升芯片良率。 该产品目前已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计 2027 年后逐步规模化…
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