长鑫拟年底推出4F²服务器内存

10月10日，长鑫科技核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，介绍了公司在DRAM器件、4F²架构和晶圆级混合键合方面的研发进展，并把这些技术的首个产品落点确定为新一代DDR5 RDIMM。DRAM即动态随机存取存储器，是服务器运行时使用的内存；DDR5是内存接口标准，RDIMM则是带寄存器的服务器内存模组。据第一财经报道，曹堪宇给出的时间目标是今年年底推出产品。此次披露已经从单项器件研究推进到明确的产品方向与推出计划，但尚未给出新产品规格、制造良率和规模量产情况。

首代产品锁定服务器

长鑫将采用4F²架构的首代产品放在DDR5 RDIMM上，意味着这次新工艺必须接受服务器连续运行所要求的稳定性和兼容性检验。RDIMM中的寄存器或缓冲芯片负责转发内存控制器与DRAM之间的地址和命令信号。数据中心采购的是能够装入服务器并长期可靠工作的模组，因此，存储单元做得更密只是产品开发的一部分，模组设计、信号传输和平台适配也进入了这次发布计划的工程范围。

4F²描述存储单元的面积，并非芯片制程节点的名字。按照曹堪宇介绍的技术定义，F代表制造工艺中的最小特征尺寸，一个DRAM存储单元通常由晶体管和电容组成。目前主流的6F²架构，每个存储单元面积为6倍F的平方。4F²架构的对应面积为4倍F的平方。在相同F下，更小的单元可以提高阵列密度；但外围电路仍占用芯片面积，制造缺陷也会影响可用芯片数量。这个几何关系不能直接转换成整颗芯片的成本降幅，更不能证明服务器实际性能已经提高。

垂直晶体管与混合键合

曹堪宇介绍，长鑫这条路线的核心器件是自研VSG，即垂直包围栅晶体管。其沟道竖立，栅极从周围控制沟道，公司称这种结构可以增强栅极对电流的控制，缓解漏电和短沟道效应，同时缩小器件占地。短沟道效应指器件缩小时，栅极对沟道的控制能力受到影响。对DRAM而言，缩小面积还必须兼顾电荷保持与读写工作，因此，垂直结构的价值需要通过器件电学表现和制造工艺共同兑现。

另一项变化发生在制造流程。存储阵列负责保存数据，外围CMOS逻辑电路负责控制和读写，两部分原本受到同一套光刻与掺杂条件的约束。据曹堪宇介绍，长鑫的技术路线通过分开制造DRAM阵列与外围逻辑，再以晶圆级混合键合实现互联，为分别优化两部分工艺创造条件。混合键合是在晶圆之间形成细密连接的集成方法。这里的三维集成涉及阵列与逻辑的布局及制造关系，不能仅凭这一描述就认定年底产品已经采用多层存储单元堆叠。

这项产品计划背后已有持续的研发记录。据21世纪经济报道，长鑫自成立以来就开展4F²研究和专利布局，相关公开专利族超过300件，并在2021年、2023年和2025年的论文中披露研发进展。公司自2019年推进混合键合独立研发，2025年在IEDM国际电子器件会议发表成果，介绍在12英寸晶圆平台完成DRAM与CMOS晶圆级键合的实验验证。这些记录说明路线已有器件和集成层面的研究积累，专利数量本身则不提供量产良率或客户交付能力的证明。

服务器业务也已有产品基础。长鑫官方披露，2025年11月23日在IC China展示的DDR5产品组合包括RDIMM，面向服务器、工作站及个人电脑等用途。第一财经报道，长鑫科技总经理赵纶在9月业绩说明会上表示，今年上半年用于服务器领域的产品贡献已有增加。这些披露表明，既有服务器业务为新架构提供了具体的产品承接方向：把器件与集成成果接入模组开发，并用于公司正在拓展的客户市场。

从器件进展到平台验证

判断这次发布的竞争分量，需要把各家公司披露的阶段放在对应位置。《首尔经济日报》10月12日报道，Samsung以2028年为相关架构量产目标；长鑫披露的则是2026年底推出DDR5 RDIMM的计划。SK hynix已公告，基于32Gb芯片的256GB DDR5 RDIMM完成Intel Xeon 6平台的数据中心认证，测试涉及可靠性、兼容性和质量。前两项时间表分别指向量产与产品推出，第三项证明的是特定模组与处理器平台的验证结果。它们可以说明竞争在哪些环节展开，却不能直接排成统一的技术领先顺序，尤其不能把长鑫的推出目标写成已经领先两年的规模量产事实。

《首尔经济日报》援引韩国业内人士的判断称，应用新技术与建立稳定量产体系是不同的问题，现有披露不足以核实长鑫的具体工艺和良率。这项质疑对应的是可供客户采用的芯片数量与真实表现，而非否认垂直晶体管的研发价值。对年底RDIMM而言，目前缺少的产品规格、良率和生产规模，使外界还无法计算它能向服务器市场新增多少可用容量，也无法给出与现有模组同条件的性能或成本结论。

长鑫选择服务器市场，有明确的需求背景。TrendForce在9月的行业报告中指出，大模型训练、AI推理和代理式AI应用带动高容量RDIMM需求，供应商库存处于历史低位，新增供应主要投向服务器。该机构同时提到，部分需求正在从高容量RDIMM转向较低容量产品，反映客户对成本的承受能力也在影响配置。由此看，长鑫新品的商业落点既取决于容量与可靠性，也取决于客户能否获得满足预算和平台要求的供货。

三大厂商的竞争交集

按TrendForce的2026年第二季度全球DRAM营收口径，Samsung份额为39.4%，其增长得到HBM4量产和出货支持。SK hynix份额为24.9%，HBM在其出货比特量中的占比居三大厂商之首。Micron份额为23.3%，在产能受限时继续优先配置价格较高的服务器DRAM。HBM是高带宽内存，属于这些厂商服务AI计算需求的重要产品。长鑫此次明确瞄准的DDR5 RDIMM，与三家公司的服务器内存业务形成竞争交集；从Micron向服务器DRAM倾斜的产品组合可以推断，长鑫目标产品将直接进入其重点经营的市场。不过，这次发布没有提供HBM产品进展，不能据此扩大为对整个AI内存市场的替代判断。

基于已经披露的产品方向和供应环境，可以判断，长鑫的竞争压力首先会落在服务器DDR5的供货选择上。如果年底产品兑现，并通过客户平台验证、形成稳定供货，服务器采购方将增加一条可采用的内存来源，既有供应商的订单分配也会受到影响。4F²和混合键合提供的是提高密度、优化制造的技术路径，实际影响仍由合格产品的交付决定。长鑫接下来已明确的动作是年底推出新一代RDIMM；这一步能把研发成果带到产品层面，其市场分量则取决于随后能交付什么规格、多少数量的可靠模组。