硬件快讯 SK hynix HBM4生产良率据称突破70%,三星电子良率此前被传达80% SK hynix第六代高带宽内存(HBM4)的生产良率据称已突破70%。HBM4通过2048位接口扩展带宽,其数据通道数量是第五代HBM(HBM3E)的两倍。需要注意的是,由于各供应商可能使用不同的良率计算方式和测量时间,仅凭披露的数字难以直接判断相对的生产实力。 来源:chosun 2026年11月12日 05:00 SK hynix第六代高带宽内存(HBM4)的生产良率据称已突破70%。尽管公司未官方披露具体数字,但在上月28日的第三季度财报电话会议上,SK hynix表示其HBM4在前端和后端工艺中的良率处于行业最佳水平之一,并指出实际表现超过了原定计划,因此提高了内部目标。[1]HBM4通过2048位接口扩展带宽,其数据通道数量是第五代HBM(HBM3E)的两倍。与此同时,三星电子和美光也在加强HBM4的推进力度。9月出现的行业观点认为,三星电子的HBM4生产良率已攀升至80%左右。[1]需要注意的是,由于各供应商可能使用不同的良率计算方式和测量时间,仅凭披露的数字难以直接判断相对的生产实力。[1]