台积电据报应英伟达要求拟制定垂直堆叠DRAM制造计划，股价应声大涨6%

2026年11月6日，台积电美国存托凭证在美股交易中上涨6.26%。此次股价波动的直接催化剂是一则报道称，应最大客户英伟达的要求，台积电近期开始制定制造垂直堆叠DRAM的计划。该报道引用了两名直接知情人士的消息，但台积电与英伟达均未确认此事，台积电表示不对市场猜测发表评论。^[1]

据称，该工作由台积电副总裁、负责先进封装业务的Hsu Kuo-chin领导。目前没有任何签约或公告，台积电正在考虑是建造新晶圆厂还是购买并改造现有场地。台积电尚未说明可能投入多少资金或何时开始生产，其2026年资本预算已定为600亿至640亿美元。^[1]

背景信息显示，英伟达的供应义务达到2790亿美元，主要用于Vera Rubin所需的内存，其首席财务官表示价格上涨幅度超出了此前预期。台积电持有垂直DRAM专利，但难点在于从专利转向几乎无缺陷的大规模生产。台积电预测第四季度收入为523亿至543亿美元，并预计2026年全年增长约44%。^[1]